自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。在此之际，有必要了解3D NADN的产业竞争形势。

    全球3D NAND竞争形势加剧

    想要了解3D NAND，首先应当了解其关键制造工艺。3D NAND的制造工艺十分复杂，主要包括高深宽比的沟开挖(High aspect ratio trenches)、在源与漏中不掺杂(No doping on source or drain)、完全平行的侧壁(Perfectly parallel walls)、众多级的台阶(Tens of stairsteps)、在整个硅片面上均匀的淀积层(Uniform layer across wafer)、一步光刻楼梯成形(Single-Lithostairstep)、硬掩模刻蚀(Hard mask etching)、通孔工艺(Processing inside of hole)、孔内壁淀积工艺(Deposition on hole sides)、多晶硅沟道(Polysilicon channels)、电荷俘获型存储(Charge trap storage)、各种不同材料的刻蚀(Etch through varying materials)、淀积众多层材料(Deposition of tens of layers)等。这些还只是主要关键部骤，可见其复杂性。